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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001

BSM300D12P2E001 - Rohm Semiconductor

品番
BSM300D12P2E001
メーカー
Rohm Semiconductor
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
BSM300D12P2E001 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
BSM300D12P2E001.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
60 pcs
参考価格
USD 668.18/pcs
私達の価格
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BSM300D12P2E001 詳細な説明

品番 BSM300D12P2E001
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1200V (1.2kV)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 300A
Rds On（Max）@ Id、Vgs -
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 68mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 35000pF @ 10V
電力 - 最大 1875W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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