| 品番 | BSM120D12P2C005 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 120A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.7V @ 22mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14000pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 780W |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
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BSM120D12P2C005 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE | 詳細 |
