| 品番 | BR25A512FVT-3MGE2 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | EEPROM |
| 技術 | EEPROM |
| メモリー容量 | 512Kb (64K x 8) |
| クロック周波数 | 10MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 5ms |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | SPI |
| 電圧 - 供給 | 2.5V ~ 5.5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP-B |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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BR25A512F-3MGE2 | Rohm Semiconductor | 105DEGC OPERATION SPI BUS EEPR | 詳細 |
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BR25A512FJ-3MGE2 | Rohm Semiconductor | 105DEGC OPERATION SPI BUS EEPR | 詳細 |
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BR25A512FVT-3MGE2 | Rohm Semiconductor | 105DEGC OPERATION SPI BUS EEPR | 詳細 |
