| 品番 | 2SCR502U3HZGT106 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 500mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 30V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 300mV @ 10mA, 200mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 200nA (ICBO) |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| 電力 - 最大 | 200mW |
| 周波数 - 遷移 | 360MHz |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 |
| サプライヤデバイスパッケージ | UMT3 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
2SCR502EBHZGTL | Rohm Semiconductor | 2SCR502EBHZG IS A BIPOLAR TRANSI | 詳細 |
 |
2SCR502EBTL | Rohm Semiconductor | TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F | 詳細 |
|
2SCR502U3HZGT106 | Rohm Semiconductor | 2SCR502U3HZG IS THE GENERAL PURP | 詳細 |
 |
2SCR502UBTL | Rohm Semiconductor | TRANS NPN 30V 0.5A UMT3F | 詳細 |
