| 品番 | UPA2822T1L-E1-AT |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 34A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 83nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4660pF @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.5W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.6 mOhm @ 34A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-HWSON (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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UPA2820T1S-E2-AT | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 8HVSON | 詳細 |
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UPA2821T1L-E1-AT | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON | 詳細 |
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UPA2822T1L-E1-AT | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON | 詳細 |
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UPA2825T1S-E2-AT | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 8HVSON | 詳細 |
