| 品番 | RJM0306JSP-01#J0 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| FET機能 | Logic Level Gate, 4V Drive |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.5A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 65 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 290pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 2.2W |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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RJM0306JSP-01#J0 | Renesas Electronics America | MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP | 詳細 |
