RJK1003DPN-E0#T2

RJK1003DPN-E0#T2 - Renesas Electronics America

品番
RJK1003DPN-E0#T2
メーカー
Renesas Electronics America
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 50A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
9054 pcs
参考価格
USD 2.82/pcs
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RJK1003DPN-E0#T2 詳細な説明

品番 RJK1003DPN-E0#T2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 50A (Ta)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id -
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 59nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 4150pF @ 10V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 11 mOhm @ 25A, 10V
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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