| 品番 | NP82N04PDG-E1-AY |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 82A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 150nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9000pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta), 143W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.5 mOhm @ 41A, 10V |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
NP82N03PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 82A TO-263 | 詳細 |
 |
NP82N04NUG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 82A TO-262 | 詳細 |
|
NP82N04PDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 82A TO-263 | 詳細 |
|
NP82N04PUG(1)-E1B-AY | Renesas Electronics America | TRANSISTOR | 詳細 |
|
NP82N055PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 82A TO-263 | 詳細 |
