| 品番 | NP109N04PUG-E1-AY |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 110A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 270nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 15750pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta), 220W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.3 mOhm @ 55A, 10V |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-3 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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NP109N04PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 | 詳細 |
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NP109N04PUJ-E2B-AY | Renesas Electronics America | TRANSISTOR | 詳細 |
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NP109N04PUK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 110A TO-263 | 詳細 |
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NP109N055PUJ-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263 | 詳細 |
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NP109N055PUJ-E2B-AY | Renesas Electronics America | TRANSISTOR | 詳細 |
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NP109N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 | 詳細 |
