品番 | XN0NE9200L |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.2A (Ta) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.3V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
Vgs(最大) | ±15V |
FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力(最大) | 600mW (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 450 mOhm @ 800mA, 4V |
動作温度 | 125°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | Mini5-G1 |
パッケージ/ケース | SC-74A, SOT-753 |
重量 | - |
原産国 | - |