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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス › MUN5116DW1T1G
MUN5116DW1T1G

MUN5116DW1T1G - ON Semiconductor

品番
MUN5116DW1T1G
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
82500 pcs
参考価格
USD 0.0328/pcs
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MUN5116DW1T1G 詳細な説明

品番 MUN5116DW1T1G
部品ステータス Active
トランジスタタイプ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 4.7k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） -
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 250mV @ 1mA, 10mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
周波数 - 遷移 -
電力 - 最大 250mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
重量 -
原産国 -

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