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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - JFET › MMBFJ201_G
MMBFJ201_G

MMBFJ201_G - ON Semiconductor

品番
MMBFJ201_G
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
INTEGRATED CIRCUIT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
MMBFJ201_G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - JFET
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
47882 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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MMBFJ201_G 詳細な説明

品番 MMBFJ201_G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） 40V
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） -
電流 - ドレイン（Idss）Vds（Vgs = 0） 200µA @ 20V
電流ドレイン（Id） - 最大 -
電圧 - カットオフ（VGSオフ）@ Id 300mV @ 10nA
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
抵抗 - RDS（オン） -
電力 - 最大 350mW
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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