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FCPF11N60_G - ON Semiconductor

品番: FCPF11N60_G
メーカー: ON Semiconductor
簡単な説明: INTEGRATED CIRCUIT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: FCPF11N60_G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 41612 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

FCPF11N60_G 詳細な説明

品番	FCPF11N60_G
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	52nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1490pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	36W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220F
パッケージ/ケース	TO-220-3 Full Pack
重量	-
原産国	-

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