FCH040N65S3-F155 - ON Semiconductor

品番	FCH040N65S3-F155
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	40 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4.5V @ 6.5mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	136nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	4740pF @ 400V
FET機能	-
消費電力（最大）	417W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247-3
パッケージ/ケース	TO-247-3
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	FCH040N65S3-F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	詳細
	FCH040N65S3_F155	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	詳細