| 品番 | DLA11C-TR-E |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 200V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 1.1A |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 980mV @ 1.1A |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 50ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 10µA @ 200V |
| 容量Vr、F | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 2-SMD |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 動作温度 - ジャンクション | 150°C (Max) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
DLA100B1200LB | IXYS | RECT BRIDGE 1200V 132A DPAK | 詳細 |
|
DLA100B1200LB-TRR | IXYS | RECT BRIDGE 1200V 132ADPAK | 詳細 |
 |
DLA10IM800UC | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 10A TO252 | 詳細 |
|
DLA11C-TR-E | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD | 詳細 |
