PSMN8R0-30YL,115

PSMN8R0-30YL,115 - NXP USA Inc.

品番
PSMN8R0-30YL,115
メーカー
NXP USA Inc.
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3971 pcs
参考価格
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PSMN8R0-30YL,115 詳細な説明

品番 PSMN8R0-30YL,115
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 62A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2.15V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 18.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1005pF @ 15V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 56W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 8.3 mOhm @ 15A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669
重量 -
原産国 -

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