• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › RF/IFおよびRFID › RFアンプ › MMG3012NT1
MMG3012NT1

MMG3012NT1 - NXP USA Inc.

品番
MMG3012NT1
メーカー
NXP USA Inc.
簡単な説明
IC AMP RF GP 6000MHZ 5V SOT-89
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
MMG3012NT1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
RFアンプ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2500 pcs
参考価格
USD 1.1644/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください MMG3012NT1

MMG3012NT1 詳細な説明

品番 MMG3012NT1
部品ステータス Not For New Designs
周波数 0Hz ~ 6GHz
P1dB 18.5dBm (70.8mW)
利得 19dB
ノイズフィギュア 3.8dB
RFタイプ Cellular, PCS, PHS, WLL
電圧 - 供給 5V
電流 - 供給 82mA
試験頻度 900MHz
パッケージ/ケース TO-243AA
サプライヤデバイスパッケージ SOT-89-4
重量 -
原産国 -

関連製品 MMG3012NT1

画像 品番 メーカー 説明 見る
MMG3001NT1 MMG3001NT1 NXP USA Inc. IC AMP RF GP 3600MHZ 5.6V SOT-89 詳細
MMG3001NT1_08 MMG3001NT1_08 FREESCALE Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) IC 詳細
MMG3002NT1 MMG3002NT1 NXP USA Inc. IC AMP RF GP 3600MHZ 5.2V SOT-89 詳細
MMG3002NT1_08 MMG3002NT1_08 FREESCALE Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) IC 詳細
MMG3003NT1 MMG3003NT1 NXP USA Inc. IC AMP RF GP 3600MHZ 6.2V SOT-89 詳細
MMG3003NT1_08 MMG3003NT1_08 FREESCALE Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) IC 詳細
MMG3004NT1 MMG3004NT1 NXP USA Inc. IC AMP RF GP 2200MHZ 5V 16-PQFN 詳細
MMG3004NT1_08 MMG3004NT1_08 FREESCALE Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) IC 詳細
MMG3005NT1 MMG3005NT1 NXP USA Inc. IC AMP RF GP 2200MHZ 5V 16-PQFN 詳細
MMG3005NT1_08 MMG3005NT1_08 FREESCALE Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) IC 詳細