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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › PSMN4R0-30YL,115
PSMN4R0-30YL,115

PSMN4R0-30YL,115 - Nexperia USA Inc.

品番
PSMN4R0-30YL,115
メーカー
Nexperia USA Inc.
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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データシートPDFダウンロード
PSMN4R0-30YL,115.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3750 pcs
参考価格
USD 0.2855/pcs
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PSMN4R0-30YL,115 詳細な説明

品番 PSMN4R0-30YL,115
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.15V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 36.6nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2090pF @ 12V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 69W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 4 mOhm @ 15A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース SC-100, SOT-669
重量 -
原産国 -

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