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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › PSMN1R1-30PL,127
PSMN1R1-30PL,127

PSMN1R1-30PL,127 - Nexperia USA Inc.

品番
PSMN1R1-30PL,127
メーカー
Nexperia USA Inc.
簡単な説明
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
PSMN1R1-30PL,127 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
PSMN1R1-30PL,127.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
10650 pcs
参考価格
USD 3.11/pcs
私達の価格
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PSMN1R1-30PL,127 詳細な説明

品番 PSMN1R1-30PL,127
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.2V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 243nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 14850pF @ 15V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 338W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.3 mOhm @ 25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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