| 品番 | PHKD3NQ10T,518 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 90 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 21nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 633pF @ 20V |
| 電力 - 最大 | 2W |
| 動作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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PHKD3NQ10T,518 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC | 詳細 |
