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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス › PDTD113EQAZ
PDTD113EQAZ

PDTD113EQAZ - Nexperia USA Inc.

品番
PDTD113EQAZ
メーカー
Nexperia USA Inc.
簡単な説明
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
PDTD113EQAZ PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
PDTD113EQAZ.pdf
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
490243 pcs
参考価格
USD 0.0533/pcs
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PDTD113EQAZ 詳細な説明

品番 PDTD113EQAZ
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 500mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 1k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） 1k
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 33 @ 50mA, 5V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 100mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
周波数 - 遷移 210MHz
電力 - 最大 325mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 3-XDFN Exposed Pad
サプライヤデバイスパッケージ DFN1010D-3
重量 -
原産国 -

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