BSH205G2VL - Nexperia USA Inc.

品番	BSH205G2VL
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	170 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	950mV @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）	±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	418pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	480mW (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-236AB
パッケージ/ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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