| 品番 | JANTXV2N2329 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| 電圧オフ状態 | 400V |
| 電圧 - ゲートトリガ（Vgt）（最大） | 800mV |
| 電流 - ゲートトリガ（Igt）（最大） | 200µA |
| 電圧 - オン状態（Vtm）（最大） | - |
| 電流 - オン状態（It（AV））（最大） | 220mA |
| 電流 - オン状態（It（RMS））（最大） | - |
| 電流 - ホールド（Ih）（最大） | 2mA |
| 電流オフ状態（最大） | - |
| 電流 - 非サージ50、60Hz（Itsm） | - |
| SCRタイプ | Sensitive Gate |
| 動作温度 | -65°C ~ 125°C |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 (TO-205AD) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | 詳細 |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | 詳細 |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | 詳細 |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | 詳細 |
