| 品番 | JANTX2N7334 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 4 N-Channel |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 60nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 1.4W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| サプライヤデバイスパッケージ | MO-036AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | 詳細 |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | 詳細 |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | 詳細 |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | 詳細 |
