| 品番 | JANTX2N4856UB |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） | 40V |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - ドレイン（Idss）Vds（Vgs = 0） | 175mA @ 15V |
| 電流ドレイン（Id） - 最大 | - |
| 電圧 - カットオフ（VGSオフ）@ Id | 10V @ 500pA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 18pF @ 10V (VGS) |
| 抵抗 - RDS（オン） | 25 Ohm |
| 電力 - 最大 | 360mW |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 3-SMD, No Lead |
| サプライヤデバイスパッケージ | UB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | 詳細 |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | 詳細 |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | 詳細 |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | 詳細 |
