| 品番 | JANTX2N2218 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 800mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 30V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 10nA |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| 電力 - 最大 | 800mW |
| 周波数 - 遷移 | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-39 (TO-205AD) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | 詳細 |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | 詳細 |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | 詳細 |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | 詳細 |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | 詳細 |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | 詳細 |
