| 品番 | APTSM120AM09CD3AG |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 337A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 11 mOhm @ 180A, 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 9mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 1224nC @ 20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 23000pF @ 1000V |
| 電力 - 最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APTSM120AM08CT6AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | 詳細 |
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APTSM120AM09CD3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | 詳細 |
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APTSM120AM14CD3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | 詳細 |
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APTSM120AM25CT3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | 詳細 |
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APTSM120AM55CT1AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | 詳細 |
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APTSM120TAM33CTPAG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | 詳細 |
