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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › APTMC120HR11CT3AG
APTMC120HR11CT3AG

APTMC120HR11CT3AG - Microsemi Corporation

品番
APTMC120HR11CT3AG
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
POWER MODULE - SIC MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APTMC120HR11CT3AG PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
52785 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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APTMC120HR11CT3AG 詳細な説明

品番 APTMC120HR11CT3AG
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Silicon Carbide (SiC)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1200V (1.2kV)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 26A (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 98 mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th）（Max）@ Id 3V @ 5mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 62nC @ 20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 950pF @ 1000V
電力 - 最大 125W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ SP3
重量 -
原産国 -

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