APTM120A80FT1G

APTM120A80FT1G - Microsemi Corporation

品番
APTM120A80FT1G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APTM120A80FT1G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
APTM120A80FT1G.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4121 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください APTM120A80FT1G

APTM120A80FT1G 詳細な説明

品番 APTM120A80FT1G
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1200V (1.2kV)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 14A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 960 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5V @ 2.5mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 260nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6696pF @ 25V
電力 - 最大 357W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP1
サプライヤデバイスパッケージ SP1
重量 -
原産国 -

関連製品 APTM120A80FT1G