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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APTGV50H120T3G
APTGV50H120T3G

APTGV50H120T3G - Microsemi Corporation

品番
APTGV50H120T3G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APTGV50H120T3G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4145 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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APTGV50H120T3G 詳細な説明

品番 APTGV50H120T3G
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ NPT, Trench Field Stop
構成 Full Bridge Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 75A
電力 - 最大 270W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 50A
電流 - コレクタ遮断（最大） 250µA
入力容量（Cies）@ Vce 3.6nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP3
サプライヤデバイスパッケージ SP3
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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