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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APTGTQ100DA65T1G
APTGTQ100DA65T1G

APTGTQ100DA65T1G - Microsemi Corporation

品番
APTGTQ100DA65T1G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
POWER MODULE - IGBT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APTGTQ100DA65T1G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4980 pcs
参考価格
USD 33.048/pcs
私達の価格
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APTGTQ100DA65T1G 詳細な説明

品番 APTGTQ100DA65T1G
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Boost Chopper
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 650V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100A
電力 - 最大 250W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.2V @ 15V, 100A
電流 - コレクタ遮断（最大） 100µA
入力容量（Cies）@ Vce 6nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ SP1
重量 -
原産国 -

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