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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APTGT75H60T3G
APTGT75H60T3G

APTGT75H60T3G - Microsemi Corporation

品番
APTGT75H60T3G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APTGT75H60T3G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
586 pcs
参考価格
USD 44.4727/pcs
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APTGT75H60T3G 詳細な説明

品番 APTGT75H60T3G
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Full Bridge Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 600V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100A
電力 - 最大 250W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 1.9V @ 15V, 75A
電流 - コレクタ遮断（最大） 250µA
入力容量（Cies）@ Vce 4.62nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP3
サプライヤデバイスパッケージ SP3
重量 -
原産国 -

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