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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APTGT50A1202G
APTGT50A1202G

APTGT50A1202G - Microsemi Corporation

品番
APTGT50A1202G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
MOD IGBT 1200V 75A SP2
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APTGT50A1202G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
718 pcs
参考価格
USD 37.5439/pcs
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APTGT50A1202G 詳細な説明

品番 APTGT50A1202G
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 75A
電力 - 最大 277W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 50A
電流 - コレクタ遮断（最大） 50µA
入力容量（Cies）@ Vce 3.6nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP2
サプライヤデバイスパッケージ SP2
重量 -
原産国 -

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