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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APTGT25H120T1G
APTGT25H120T1G

APTGT25H120T1G - Microsemi Corporation

品番
APTGT25H120T1G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APTGT25H120T1G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
APTGT25H120T1G.pdf
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3846 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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APTGT25H120T1G 詳細な説明

品番 APTGT25H120T1G
部品ステータス Obsolete
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Full Bridge Inverter
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 40A
電力 - 最大 156W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 25A
電流 - コレクタ遮断（最大） 250µA
入力容量（Cies）@ Vce 1.8nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP1
サプライヤデバイスパッケージ SP1
重量 -
原産国 -

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