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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › APTGLQ25H120T1G
APTGLQ25H120T1G

APTGLQ25H120T1G - Microsemi Corporation

品番
APTGLQ25H120T1G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
POWER MODULE - IGBT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
APTGLQ25H120T1G PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4190 pcs
参考価格
USD 39.2904/pcs
私達の価格
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APTGLQ25H120T1G 詳細な説明

品番 APTGLQ25H120T1G
部品ステータス Active
IGBTタイプ Trench Field Stop
構成 Full Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 50A
電力 - 最大 165W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.42V @ 15V, 25A
電流 - コレクタ遮断（最大） 50µA
入力容量（Cies）@ Vce 1.43nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ SP1
重量 -
原産国 -

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