| 品番 | APTC90DAM60T1G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 900V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 59A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 6mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 540nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13600pF @ 100V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | Super Junction |
| 消費電力（最大） | 462W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
| パッケージ/ケース | SP1 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APTC90AM602G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | 詳細 |
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APTC90AM60SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | 詳細 |
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APTC90AM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | 詳細 |
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APTC90DAM60CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | 詳細 |
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APTC90DAM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | 詳細 |
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APTC90DDA12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | 詳細 |
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APTC90DSK12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | 詳細 |
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APTC90H12SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | 詳細 |
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APTC90H12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | 詳細 |
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APTC90H12T2G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | 詳細 |
