APTC60HM70BT3G

APTC60HM70BT3G - Microsemi Corporation

品番
APTC60HM70BT3G
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
429 pcs
参考価格
USD 58.805/pcs
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APTC60HM70BT3G 詳細な説明

品番 APTC60HM70BT3G
部品ステータス Active
FETタイプ 4 N-Channel (H-Bridge)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 39A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.9V @ 2.7mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 259nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 700pF @ 25V
電力 - 最大 250W
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SP3
サプライヤデバイスパッケージ SP3
重量 -
原産国 -

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