APT1001R1BN

APT1001R1BN - Microsemi Corporation

品番
APT1001R1BN
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3970 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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APT1001R1BN 詳細な説明

品番 APT1001R1BN
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 10.5A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 130nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2950pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 310W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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