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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - JFET › 2N5115UB
2N5115UB

2N5115UB - Microsemi Corporation

品番
2N5115UB
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
P CHANNEL JFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
2N5115UB PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - JFET
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
494 pcs
参考価格
USD 51.6373/pcs
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2N5115UB 詳細な説明

品番 2N5115UB
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） 30V
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 30V
電流 - ドレイン（Idss）Vds（Vgs = 0） 60mA @ 15V
電流ドレイン（Id） - 最大 -
電圧 - カットオフ（VGSオフ）@ Id 6V @ 1nA
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 25pF @ 15V
抵抗 - RDS（オン） 100 Ohm
電力 - 最大 500mW
動作温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 3-SMD, No Lead
サプライヤデバイスパッケージ UB
重量 -
原産国 -

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