| 品番 | MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| メモリの種類 | Non-Volatile |
| メモリフォーマット | FLASH |
| 技術 | FLASH - NAND |
| メモリー容量 | 3Tb (384G x 8) |
| クロック周波数 | 333MHz |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
| アクセス時間 | - |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 2.5 V ~ 3.6 V |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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MT29E3T08EQHBBG2-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 272TBGA | 詳細 |
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MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 272TBGA | 詳細 |
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ | 詳細 |
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MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA | 詳細 |
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MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA | 詳細 |
