| 品番 | MRF6P21190HR6_06 |
|---|---|
| Package Type | SMD or Through Hole |
| Rohs Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Description | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET IC |
| MFG Part Code | MRF6P21190HR6_06 |
| Series | MRF6P21190H |
| Delivery Time | 1 Day |
| 特徴 | - |
| 電圧 | - |
| Date Code | New |
| 取付タイプ | - |
| 動作温度 | - |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| 現在 | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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MRF6P21190H | FREESCALE | MRF6P21190H FREESCALE SMD or Through Hole New Original Stocks | 詳細 |
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MRF6P21190HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 | 詳細 |
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MRF6P21190HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.12GHZ NI-1230 | 詳細 |
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MRF6P21190HR6_06 | FREESCALE | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET IC | 詳細 |
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MRF6P23190H | FREESCALE | MRF6P23190H FREESCALE SMD or Through Hole New Original Stocks | 詳細 |
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MRF6P23190HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 | 詳細 |
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MRF6P24190HR5 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 | 詳細 |
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MRF6P24190HR6 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 | 詳細 |
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