| 品番 | JANTX1N4150-1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 50V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 300mA (DC) |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 740mV @ 10mA |
| 速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 4ns |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 100nA @ 50V |
| 容量Vr、F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | 詳細 |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | 詳細 |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | 詳細 |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | 詳細 |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | 詳細 |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | 詳細 |
