| 品番 | IXDI602D2TR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 駆動構成 | Low-Side |
| チャネルタイプ | Independent |
| ドライバ数 | 2 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 4.5 V ~ 35 V |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 2A, 2A |
| 入力方式 | Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | - |
| 立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） | 7.5ns, 6.5ns |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN-EP (5x4) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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