IX2113G - IXYS Integrated Circuits Division

品番	IX2113G
部品ステータス	Active
駆動構成	Half-Bridge
チャネルタイプ	Independent
ドライバ数	2
ゲートタイプ	IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
電圧 - 供給	10 V ~ 20 V
ロジック電圧 - VIL、VIH	6V, 9.5V
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）	2A, 2A
入力方式	Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ）	600V
立ち上がり/立ち下がり時間（Typ）	9.4ns, 9.7ns
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
パッケージ/ケース	14-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤデバイスパッケージ	14-DIP
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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