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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTY1R4N120PHV
IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120PHV - IXYS

品番
IXTY1R4N120PHV
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTY1R4N120PHV PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
73177 pcs
参考価格
USD 2.25/pcs
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IXTY1R4N120PHV 詳細な説明

品番 IXTY1R4N120PHV
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 13 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 100µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 24.8nC @ 10V
Vgs（最大） ±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 666pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） 86W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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