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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTQ200N10T
IXTQ200N10T

IXTQ200N10T - IXYS

品番
IXTQ200N10T
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTQ200N10T PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
95 pcs
参考価格
USD 6.19/pcs
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IXTQ200N10T 詳細な説明

品番 IXTQ200N10T
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 200A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 152nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 9400pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 550W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 5.5 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-3P
パッケージ/ケース TO-3P-3, SC-65-3
重量 -
原産国 -

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