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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTP4N70X2M
IXTP4N70X2M

IXTP4N70X2M - IXYS

品番
IXTP4N70X2M
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTP4N70X2M PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
82325 pcs
参考価格
USD 2/pcs
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IXTP4N70X2M 詳細な説明

品番 IXTP4N70X2M
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 700V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 850 mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 11.8nC @ 10V
Vgs（最大） ±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 386pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） 30W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220 Isolated Tab
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
重量 -
原産国 -

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