IXTD1R4N60P 11

IXTD1R4N60P 11 - IXYS

品番
IXTD1R4N60P 11
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
16832 pcs
参考価格
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IXTD1R4N60P 11 詳細な説明

品番 IXTD1R4N60P 11
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 25µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5.2nC @ 10V
Vgs(最大) ±30V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 140pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die
パッケージ/ケース Die
重量 -
原産国 -

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