| 品番 | IXTB30N100L |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1000V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 20V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 545nC @ 20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 13200pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 800W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 20V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PLUS264™ |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IXTB30N100L | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 | 詳細 |
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IXTB62N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 | 詳細 |
