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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - シングル › IXGN200N170
IXGN200N170

IXGN200N170 - IXYS

品番
IXGN200N170
メーカー
IXYS
簡単な説明
IGBT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXGN200N170 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3247 pcs
参考価格
USD 50.68/pcs
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IXGN200N170 詳細な説明

品番 IXGN200N170
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1700V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 280A
電流 - コレクタパルス（Icm） 1050A
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.6V @ 15V, 100A
電力 - 最大 1250W
スイッチングエネルギー 28mJ (on), 30mJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 540nC
Td（オン/オフ）@ 25℃ 37ns/320ns
テスト条件 850V, 100A, 1 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） 133ns
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤデバイスパッケージ SOT-227B
重量 -
原産国 -

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